В 1976 году Zumsteg и другие. использовали гидротермальный метод для выращивания титанилфосфата рубидия (RbTiOPO₄, называемый RTP) кристалл. Кристалл RTP представляет собой ромбическую систему, мм2-х очковая группа, P_на21 космическая группа, имеет комплексные преимущества большого электрооптического коэффициента, высокого порога светового повреждения, низкой проводимости, широкого диапазона пропускания, отсутствия расплывания, низких вносимых потерь и может использоваться для работы с высокой частотой повторения (до 100 кГц), так далее. И при сильном лазерном облучении серых пятен не будет. В последние годы он стал популярным материалом для изготовления электрооптических переключателей добротности, особенно подходящих для лазерных систем с высокой частотой повторения..

Сырье для RTP разлагается при плавлении и не может быть выращено обычными методами вытягивания из расплава. Обычно для понижения температуры плавления используют флюсы. Благодаря добавлению большого количества флюса в сырье, он’Очень сложно вырастить RTP с большим размером и высоким качеством. В 1990 году Ван Цзиян и другие использовали метод флюса самообслуживания для получения бесцветного, полного и однородного монокристалла RTP из 15 мм×44 мм×34 мм, и провели систематическое исследование его характеристик. В 1992 году Оселедчики другие. использовал аналогичный метод самообслуживания для выращивания кристаллов RTP размером 30 мм×40 мм×60 мм и высокий порог лазерного поражения. В 2002 году Каннан и другие. использовали небольшое количество MoO₃ (0,002 мол.%) в качестве флюса в методе верхней затравки для выращивания высококачественных кристаллов RTP размером около 20 мм. В 2010 году Рот и Цейтлин использовали семена направления [100] и [010], соответственно, для выращивания RTP большого размера с использованием метода верхнего посевного материала.

По сравнению с кристаллами KTP, методы получения и электрооптические свойства которых аналогичны, удельное сопротивление кристаллов RTP на 2–3 порядка выше (10⁸ Ω ·см), поэтому кристаллы RTP могут использоваться в качестве приложений с модуляцией добротности EO без проблем с электролитическим повреждением. В 2008 году Шалдини другие. использовали метод верхней затравки для выращивания однодоменного кристалла RTP с удельным сопротивлением около 0,5×10¹² Ω ·см, что очень удобно для Q-переключателей EO с большей светосилой. В 2015 году Чжоу Хайтаои другие. сообщили, что кристаллы RTP с длиной оси a более 20 мм были выращены гидротермальным методом, удельное сопротивление составляло 10¹¹~ 10¹² Ω ·см. Поскольку кристалл RTP является двухосным кристаллом, он отличается от кристалла LN и кристалла DKDP при использовании в качестве EO Q-переключателя. Один RTP в паре должен быть повернут на 90°по направлению света, чтобы компенсировать естественное двойное лучепреломление. Эта конструкция не только требует высокой оптической однородности самого кристалла, но также требует, чтобы длина двух кристаллов была как можно ближе, чтобы получить более высокий коэффициент экстинкции Q-переключателя.

Как отличный EO Q-переключательing материал с высокая частота повторения, кристалл RTPs при условии ограничения размера что невозможно для больших чистая апертура (максимальная апертура товарной продукции всего 6 мм.). Таким образом, приготовление кристаллов RTP с участием большой размер и высокое качество так же хорошо как соответствие техника из Пары RTP все еще требуется большое количество поисковая работа.