Фоторефрактивный эффект является основой голографических оптических приложений, но он также создает проблемы для других оптических приложений, поэтому повышению фоторефрактивного сопротивления кристалла ниобата лития уделяется большое внимание, среди которых регулирование легирования является наиболее важным методом.В отличие от фоторефрактивного легирования, антифоторефрактивное легирование использует элементы с неизменяемой валентностью для уменьшения фоторефрактивного центра.В 1980 году сообщалось, что фоторефрактивное сопротивление кристалла LN, легированного магнием с высокой долей Mg, увеличивается более чем на 2 порядка, что привлекло большое внимание.В 1990 году исследователи обнаружили, что легированный цинком LN имеет высокое сопротивление фоторефракции, подобное легированному магнием LN.Несколько лет спустя было обнаружено, что LN, легированный скандием и индием, также обладает фоторефрактивным сопротивлением.

В 2000 году Xu et al.обнаружил, что высокийсоотношение Mg-допированныйLNкристалл с высоким фоторефрактивным сопротивлением в видимой полосе гаsотличные фоторефрактивные характеристики в УФ-диапазоне.Это открытие прорвало пониманиевфоторефрактивное сопротивлениеLNкристалл, а также заполнили заготовку из фоторефрактивных материалов, нанесенных в ультрафиолетовом диапазоне.Более короткая длина волны означает, что размер голографической решетки может быть меньше и тоньше, и ее можно динамически стирать и записывать в решетку с помощью ультрафиолетового света и считывать с помощью красного и зеленого света, чтобы реализовать применение динамической голографической оптики. .Lamarque et al.принял высокийотношение Mg-допированныйLN кристалл, предоставленный Нанкайским университетом в качестве УФ-фоторефрактивногоматериали реализовала программируемую двумерную лазерную маркировку с использованием двухволнового усиления света.

На ранней стадии антифоторефрактивные легирующие элементы включали двухвалентные и трехвалентные элементы, такие как магний, цинк, индий и скандий.В 2009 году Kong et al.разработан антифоторефрактивное легирование с использованием тетраaвалентные элементы, такие как гафний, цирконий и олово.При достижении того же фоторефрактивного сопротивления, по сравнению с двухвалентными и трехвалентными легированными элементами, количество легирования четырехвалентных элементов меньше, например, 4,0 мол.% Гафния и 6,0 мол.% Легированного магния.LNкристаллы имеют similarфоторефрактивное сопротивление,20,0 мол.% Циркония и 6.5 моль% легированный магниемLNкристаллы имеют similarфоторефрактивное сопротивление.Кроме того, коэффициент сегрегации гафния, циркония и олова в ниобате лития ближе к 1, что более благоприятно для получения кристаллов высокого качества.

Высококачественный LN, разработанный WISOPTIC [www.wisoptic.com]